ظهرت رقاقة Snapdragon 8 Gen 4 من جديد في منصة Geekbench، حيث كشفت التسريبات عن آداء الرقاقة في إصدار وان بلس المرتقب OnePlus 13.
تستعد شركة وان بلس لعقد مؤتمر في شهر أكتوبر المقبل لكشف النقاب عن هاتف OnePlus 13، ولقد رصد هذا الإصدار بالفعل في منصة Geekbench التي كشفت عن آداء رقاقة كوالكوم القادمة في هذا الإصدار.
ولقد سجل الهاتف أكثر من 10000 نقطة في إختبارات الأنوية المتعددة، كما يضم المعالج اثنان من مجموعات الأنوية، حيث تضم المجموعة الأولى اثنان من الأنوية بسرعة 4.32 GHz، بينما تضم المجموعة الثانية عدد 6 من الأنوية بسرعة 3.53 GHz.
ومن المقرر أن ترتكز رقاقة Snapdragon 8 Gen 4 القادمة على عملية تصنيع TSMC بدقة تصنيع 3 نانومتر، وهي أصغر عقدة تصنيع للرقاقات والأكثر كفاءة في إستهلاك الطاقة.
كما يظهر هاتف OnePlus 13 في التسريبات بنظام تشغيل Android 15 مثبت مسبقاً، مع ذاكرة عشوائية 16 جيجا بايت رام.
من جانب أخر يضم المعالج كرت الشاشة Adreno 830 المميز بسرعة 1250 MHz، أي بتحسينات بنسبة تتراوح بين 25 -30% مقارنة بكرت الشاشة Adreno 750 في إصدار Snapdragon الحالي.
يذكر أن التوقعات تشير إلى أن هاتف OnePlus 13 يأتي بقدرة بطارية 6000 mAh، ويدعم تقنية الشحن السريع بقدرة 100W، والشحن اللاسلكي بقدرة 50W، ومن المتوقع أيضاً أن يأتي الهاتف بتصميم أكثر نحافة بفضل إتجاه الشركة لخلايا Si-C في البطارية.
ويضم الهاتف شاشة LTPO OLED بحجم 6.8 إنش، وجودة عرض QHD، مع مستشعر بالموجات الفوق صوتية مدمج في الشاشة.
